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BC847B	文件：26.82 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistor Features 1) BVCEO 文件：26.82 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC847B	文件：86.93 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistor Features 1) BVCEO 文件：86.93 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC847B	文件：1.68286 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；General purpose small signal amplifier Features 1)BVCEO>45V(IC=1mA) 2)Complements the BC857B/BC857BU3. Application GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER 文件：1.68286 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC847BHZG	文件：1.36945 Mbytes Page：8 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；NPN General purpose transistor Features 1) BVCEO>45V(IC=1mA) 2) Complements the BC857B HZG. Application AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL AMPLIFIER 文件：1.36945 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC847BU3	文件：1.68286 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-323；General purpose small signal amplifier Features 1)BVCEO>45V(IC=1mA) 2)Complements the BC857B/BC857BU3. Application GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER 文件：1.68286 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC847BU3HZG	文件：1.43331 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-323；NPN General purpose transistor Features 1) BVCEO>45V(IC=1mA) 2) Complements the BC857BU3 HZG. Application AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL AMPLIFIER 文件：1.43331 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
FTC2412K-S	文件：318.37 Kbytes Page：3 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：318.37 Kbytes 页数：3 Pages	FS	FS
S-L2SC2412KRLT1G	文件：402.46 Kbytes Page：4 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；general purpose transistors NPN Silicon 文件：402.46 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
S-L2SC2412KRLT3G	文件：402.46 Kbytes Page：4 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；general purpose transistors NPN Silicon 文件：402.46 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
S-L2SC2412KSLT1G	文件：402.46 Kbytes Page：4 Pages	丝印：G1F；Package：SOT-23；general purpose transistors NPN Silicon 文件：402.46 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

详细参数

型号：
G1F
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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