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G1801D

单口千兆网络隔离变压器

CND-TEK

磁联达

G1801DG

网络变压器

Mentech

铭普光磁

MGF1801

MICROWAVE POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig

文件:23.06 Kbytes 页数:3 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

MGF1801

TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?

文件:121.25 Kbytes 页数:3 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

MGFC1801

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE?

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE

文件:220.38 Kbytes 页数:6 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

技术参数

  • 封装:

    DIP18

  • 端口数:

    1

  • 耐压(V):

    1500

  • 工作温度范围(°C):

    0-70

  • 是否支持POE:

    N/A

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更多G1801D供应商 更新时间2026-4-20 22:58:00