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G12P10TE	文件：873.94 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G12P10；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G12P10TE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：873.94 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G12P10TE	文件：300 bytes Page：1 Pages	-100V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HY12P10D	文件：906.68 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：906.68 Kbytes 页数：9 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
KSM12P10	文件：1.82179 Mbytes Page：7 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：1.82179 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
KSMD12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：1.46041 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技术参数

Package：
TO-220
Type：
P
ESD Diode：
YES
Vds(V)：
-100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-12
Pd(W)：
44.6
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
170
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
180
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
200
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
220
Qg(nC)：
33
Qgs(nC)：
4
Qgd(nC)：
7
Ciss(pF)：
1717
Crss(pF)：
46
Technology：
TRENCH

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