G12P10TE中文资料-100V P Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书
技术参数
- 制造商编号
:G12P10TE
- 生产厂家
:GOFORD
- Package
:TO-220
- Type
:P
- ESD Diode
:YES
- Vds(V)
:-100
- Vgs(V)
:±20
- Id(A)
:-12
- Pd(W)
:44.6
- Vgs(th)max(V)
:-2.5
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V
:170
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V
:180
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V
:200
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V
:220
- Qg(nC)
:33
- Qgs(nC)
:4
- Qgd(nC)
:7
- Ciss(pF)
:1717
- Crss(pF)
:46
- Technology
:TRENCH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOCOS/东高志 |
25+ |
DIP |
54648 |
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询价 | ||
25+ |
SMD |
3200 |
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NEC |
22+ |
MSOP-8 |
5000 |
进口原装!现货库存 |
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CHERRY |
新 |
29 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
TOCOS |
23+ |
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23+ |
贴片/插片 |
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24+ |
N/A |
64000 |
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Bel |
22+ |
NA |
80 |
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Alpha Wire |
2022+ |
4 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
TE |
24+ |
con |
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