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G12P10TE中文资料-100V P Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G12P10TE

功能描述

-100V P Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G12P10TE

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-220

  • Type

    :P

  • ESD Diode

    :YES

  • Vds(V)

    :-100

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :-12

  • Pd(W)

    :44.6

  • Vgs(th)max(V)

    :-2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :170

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :180

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :200

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :220

  • Qg(nC)

    :33

  • Qgs(nC)

    :4

  • Qgd(nC)

    :7

  • Ciss(pF)

    :1717

  • Crss(pF)

    :46

  • Technology

    :TRENCH

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