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G12N10数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

G12N10

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G12N10

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(max)

    :100V

  • Id at 25℃(max)

    :12A

  • PD(max)

    :3.1W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.7V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :14.5mΩ~17mΩ

  • Qg(nC)

    :95

  • Ciss

    :3800

  • Crss

    :291

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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