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G080P06M	文件：887.76 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G080P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：887.76 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G080P06M	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel TRENCH MOSFET The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G080P06T	文件：923.56 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：923.56 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
VSI080P06MS	文件：1.22227 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.22227 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多G080P06M供应商更新时间2026-1-19 11:06:00