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G080P06M中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G080P06M

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G080P06

封装外壳

TO-263

文件大小

887.76 Kbytes

页面数量

6 页

生产厂商

GOFORD

中文名称

谷峰半导体

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数据手册

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更新时间

2026-10-5 15:01:00

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G080P06M规格书详情

描述 Description

The G080P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CMO
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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25+
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全新原装现货
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标准封装
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配
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24+
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5000
只做原装公司现货
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