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HYG045P03LQ1U

丝印:G045P03;Package:TO-251-3L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.56619 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG045P03LQ1V

丝印:G045P03;Package:TO-251-3S;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.56619 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG046N04LQ1C2

丝印:G046N04;Package:PPAK5-8L;Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:511.54 Kbytes 页数:9 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG046N04LQ1D

丝印:G046N04;Package:TO-252-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.0387 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG046N04LQ1U

丝印:G046N04;Package:TO-251-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.0387 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG046N04LQ1V

丝印:G046N04;Package:TO-251-3S;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.0387 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

G040P02D5

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

G040P02T

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

G040P04M

-40V P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G040168000

包装:袋 类别:光电器件 光力学 描述:PINHOLE 0.3 MM, 25 MM MOUNTED

Excelitas Technologies

Excelitas Technologies

技术参数

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    -20V

  • Id at 25℃(max):

    -90A

  • PD(max):

    125W

  • Vgs(th)typ(V):

    -0.65V

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    3.5mΩ

  • Qg(nC):

    134

  • Ciss:

    8998

  • Crss:

    1181

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更多G04供应商 更新时间2026-1-27 15:28:00