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G040P02T	文件：907.74 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G040P02；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G040P02T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：907.74 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G040P02T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
RTQ040P02	文件：77.07 Kbytes Page：5 Pages	DC-DC Converter (-20V, -4.0A) 文件：77.07 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTQ040P02TR	文件：450.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：450.22 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-20V
Id at 25℃(max)：
-90A
PD(max)：
125W
Vgs(th)typ(V)：
-0.65V
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
3.5mΩ
Qg(nC)：
134
Ciss：
9457
Crss：
1197

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更多G040P02T供应商更新时间2025-10-8 11:06:00

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