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FX20KMJ-03	文件：50.86 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –30V • rDS (ON) (MAX) 0.13Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery Dio 文件：50.86 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX20KMJ-03	文件：56.17 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –30V • rDS (ON) (MAX) 0.13Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery Dio 文件：56.17 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX20KMJ-03	文件：209.61 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 0.13 Ω • ID : – 20 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：209.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-03	文件：383.08 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=-20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.13Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：383.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FX20KMJ-03-A8	文件：209.61 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 0.13 Ω • ID : – 20 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：209.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-06	文件：174.67 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 60 V • rDS(ON) (max) : 97 mΩ • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：174.67 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-06	文件：56.63 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 97mΩ • ID –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：56.63 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX20KMJ-06	文件：51.3 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 97mΩ • ID –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：51.3 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX20KMJ-06-A8	文件：174.67 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 60 V • rDS(ON) (max) : 97 mΩ • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：174.67 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-2	文件：56.72 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –100V • rDS (ON) (MAX) 0.26Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：56.72 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX

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晶体管资料

型号：
FX2368
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>20
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.36

技术参数

Package：
D8x7.5_LowRth
VRRM：
50 V
IFAV：
20.00 A
trr：
200 ns
Tjmax：
150 °C
IFSM：
650.00 A
VF：
0.82 V
IF：
5.00 A
IR：
5.000 µA
Cj：
pF
VR：
V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	FX20ASJ-03F-T13	RENESAS/瑞萨	23+	TO252	3000		询价
北京京北通宇电子元件有限公司	FX2B-68PA-1.27DSA	HIROSE	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FX2B-100PA-1.27DSA	HIROSE/广濑	22+	DIP	3000	原装正品	询价
深圳市恺能科技有限公司	FX23-20S-0.5SV	Hirose(广濑电机)	26+		25000	原装正品欢迎垂询	询价

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