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FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114K	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR:Genreal Purpuse;	First Silicon First Silicon Co., Ltd	First Silicon
FTD2114KVLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS

技术参数

PC：
200
IC：
500
VCBO：
25
VCEO：
20
VCE(SAT)：
0.4
HFE(min)：
820
HFE(max)：
2700
FT：
350
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市海天鸿电子科技有限公司	FTD220	IPS	1728+	TO-252	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
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