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FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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制造商上传企业

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FTD2114KWLT1G

文件：126.58 Kbytes

Page：4 Pages

Marking：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.

First Silicon Co., Ltd

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	FTD220	IPS	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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深圳市顺鑫晟科技有限公司	FTD220	IPS	25+	TO-252	188600	全新原厂原装正品现货欢迎咨询	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	FTD220其他被动元件	IPS	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多FTD2114KWLT1G供应商更新时间2025-5-7 9:39:00

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