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FTD2114KVLT1G中文资料FS数据手册PDF规格书

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厂商型号

FTD2114KVLT1G

功能描述

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

丝印标识

BV

封装外壳

SOT-23

文件大小

126.58 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

FS

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 20:00:00

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FTD2114KVLT1G规格书详情

特性 Features

1) High DC current gain.

hFE = 1200 (Typ.)

2) High emitter-base voltage.

VEBO =12V (Min.)

3) Low VCE(sat).

VCE (sat) = 0.18V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 20mA)

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

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