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FSS23	文件：48.48 Kbytes Page：3 Pages	2 Amp. Surface Mounted Schottky Barrier Rectifier	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FSS23	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Rectifiers;	FagorFAGOR electronica 法格电子	Fagor
FSS230D	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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FSS230D3	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R1	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R3	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R4	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS232	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	Load Switching Applications Features •LowONresistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

技术参数

IF(AV) (A)：
2
VRRM (V)：
30
TRR (ns)：
>10
Vf (V)：
0.50
IFSM (A)：
50
Outline：
DO214AA/SMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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