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FSS23A4R	文件：46.88 Kbytes Page：8 Pages	7A, 250V, 0.460 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A4R1	文件：46.88 Kbytes Page：8 Pages	7A, 250V, 0.460 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A4R3	文件：46.88 Kbytes Page：8 Pages	7A, 250V, 0.460 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A4R4	文件：46.88 Kbytes Page：8 Pages	7A, 250V, 0.460 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS2300M	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs;	FOSANANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD 富信半导体安徽富信半导体科技有限公司	FOSAN
FSS2300S	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOS管;	FOSANANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD 富信半导体安徽富信半导体科技有限公司	FOSAN

技术参数

IF(AV) (A)：
2
VRRM (V)：
30
TRR (ns)：
>10
Vf (V)：
0.50
IFSM (A)：
50
Outline：
DO214AA/SMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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