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KF11N50P/F	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=11A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF11N50PF	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=11A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM11N50CF	文件：2.57609 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF11N50CF	文件：2.57609 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NDF11N50Z	文件：86.36 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF11N50Z	文件：119.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF11N50Z	文件：319.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDF11N50ZG	文件：119.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDF11N50ZG	文件：120.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF11N50ZH	文件：120.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF11N50ZH	文件：86.36 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP11N50Z	文件：119.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP11N50Z	文件：372.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP11N50ZG	文件：119.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PHB11N50E	文件：41.62 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated VDSS=500V ID=10.4A RDS(ON)≤0.6Ω GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpur	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB11N50E	文件：102.93 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated VDSS=500V ID=10.4A RDS(ON)≤0.6Ω GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpur	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP11N50E	文件：41.62 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated VDSS=500V ID=10.4A RDS(ON)≤0.6Ω GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpur	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHW11N50E	文件：41.62 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated VDSS=500V ID=10.4A RDS(ON)≤0.6Ω GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpur	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多FS11N50A供应商更新时间2024-6-15 15:30:00

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