FQU5N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.8 A，2.5 Ω，IPAK数据手册ONSEMI规格书
FQU5N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2.8A, 600V, RDS(on)= 2.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.4A栅极电荷低（典型值：15nC)
•低 Crss（典型值6.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU5N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.8
- PD Max (W)
：49
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：515
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
I-PAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
I-PAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-251(IPAK) |
8866 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
21925 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2517+ |
TO-251 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO251 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
I-PAK |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
