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FQU3N30	文件：740.48 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N30	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM3N30PR	文件：1.79686 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KQB3N30	文件：62.64 Kbytes Page：2 Pages	300VN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMD3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
STD3N30	文件：143.53 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEIPAK(TO-251)POWERPACKAGEINTUBE(SUFFIX”-1”) ■SURFACE-MOUNTINGD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD3N30L	文件：170.51 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.15Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEIPAK(TO-251)POWERPACKAGEINTUBE(SUFFIX”-1”) ■SURFACE-MOUNTING	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UF3N30	文件：134.92 Kbytes Page：3 Pages	3A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF3N30Z	文件：148.21 Kbytes Page：3 Pages	3A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
FQU3N30
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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