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FQU3N30	文件：740.48 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：740.48 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU3N30	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：330.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HM3N30PR	文件：1.79686 Mbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：1.79686 Mbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
KQB3N30	文件：62.64 Kbytes Page：2 Pages	300V N-Channel MOSFET 文件：62.64 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
KSMD3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.65952 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
FQU3N30
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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