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KQB3N30	文件：62.64 Kbytes Page：2 Pages	300V N-Channel MOSFET 文件：62.64 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
KQB3N30	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-MOSFETs	Kexin 科信电子	Kexin
KSMD3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.65952 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
KSMU3N30	文件：1.65952 Mbytes Page：8 Pages	300V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.65952 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
STD3N30	文件：143.53 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 1.1 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”) ■ SURFACE-MOUNTING D 文件：143.53 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

更多KQB3N30供应商更新时间2025-10-6 17:30:00