isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.54Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

500V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

500V N-Channel MOSFET

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功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，13.5 A，480 mΩ，TO-220F

此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。 •13 A、500 V、RDS(on) = 480 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6.5 A\n•低栅极电荷（典型值 43 nC)\n•低 Crss（典型值 20 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F

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安森美半导体

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F

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