200V P-Channel MOSFET

200V P-Channel MOSFET

文件：710.87 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：310.01 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-5.7 A，690 mΩ，DPAK

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-5.7 A、-200 V、RDS(on)= 0.69 Ω（最大值），需 VGS = -10 V、ID = -2.85 A栅极电荷低（典型值：19nC)\n•低 Crss（典型值25pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

Low Crss(typical 25 pF)

200V P-Channel MOSFET

文件：737.35 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -200V, ID= -3.6A RDS(ON)

文件：788.43 Kbytes 页数：6 Pages

BYCHIP

百域芯