丝印：TPM2007NK3；Package：TO-252-3L；200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features Vos = 200V,lp =5.5A Ros(on)

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TECHPUBLIC

台舟电子

200V N- Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand h

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：304.62 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

文件：758.6 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：1.01045 Mbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

100V LOGIC N-Channel MOSFET

文件：630.73 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

200V LOGIC N-Channel MOSFET

文件：627.62 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，5.5 A，750 mΩ，DPAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •5.5A，200V，RDS(on)= 750mΩ（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 时）\n•低栅极电荷（典型值 6.8nC)\n•低 Crss（典型值 8.5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体