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FQD7N30	文件：758.6 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：758.6 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD7N30	文件：304.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：304.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQD7N30	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 300 V，5.5 A，700 mΩ，DPAK 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •5.5A，300V，RDS(on)= 700mΩ（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 时）\n•低栅极电荷（典型值 13nC）\n•低 Crss（典型值 12pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQI7N30	文件：744.72 Kbytes Page：9 Pages	300V N0Channel MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：744.72 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU7N30	文件：758.6 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：758.6 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU7N30	文件：329.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：329.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
300
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
5.5
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
700
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ciss Typ (pF)：
470
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQD7N30	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-252	45000	FAIRCHILD/仙童全新现货FQD7N30即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQD7N30	FAIRCHILD	24+	TO-252(DPAK)	8866		询价
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更多FQD7N30供应商更新时间2025-12-9 9:04:00

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