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MTD4N20E	文件：264.21 Kbytes Page：12 Pages	N?묬hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD4N20E	文件：268.86 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES200VOLTSRDS(on)=1.2OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD4N20I	文件：359.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDT4N20L	文件：1.51754 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	FQD4N20TM-TP	TECH PUBLIC(台舟)	23+	TO-252-3L	200	三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)	询价
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