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FQD19N10TF	文件：406.75 Kbytes Page：2 Pages	D-PAK Tape and Reel Data D-PAK Packaging Configuration: Figure 1.0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
19N10	文件：195.74 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheUTC100VN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)areproducedbyUTC’splanarstripe,DMOStechnologywhichhasbeentailoredespeciallyintheavalancheandcommutationmodetominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,and	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10	文件：232.7 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10G	文件：195.74 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheUTC100VN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)areproducedbyUTC’splanarstripe,DMOStechnologywhichhasbeentailoredespeciallyintheavalancheandcommutationmodetominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,and	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10G-TMS-T	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELLOGICLEVELENHANCEMENTMODE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10L	文件：195.74 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheUTC100VN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)areproducedbyUTC’splanarstripe,DMOStechnologywhichhasbeentailoredespeciallyintheavalancheandcommutationmodetominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,and	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10L-TMS-T	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELLOGICLEVELENHANCEMENTMODE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
19N10V	文件：227.57 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FQB19N10	文件：575.39 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB19N10	文件：333.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB19N10L	文件：609.08 Kbytes Page：9 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10	文件：588.88 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10	文件：545.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10	文件：1.20347 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET100V,15.6A,100m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10	文件：684.38 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10	文件：1.38344 Mbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features LowGateCharge(Typ.14nC) LowCrss(Typ.35pF) VDS(V)=100V ID=15.6A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FQD19N10	文件：293.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD19N10L	文件：293.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD19N10L	文件：530.84 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD19N10L	文件：1.01047 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
FQD19N10TF
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	FQD19N10TF	FAIRCHILD		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	FQD19N10TF	FSC	2017+	TO-252	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
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更多FQD19N10TF供应商更新时间2024-4-30 14:00:00

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