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IXTH90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH90N15T	文件：383.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK90N15	文件：88.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode HighCurrentMegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •Switched-modepowersupplies Advantages •Easyto	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK90N15	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=150V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤16mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwitchingApplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP90N15T	文件：295.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
FQA90N15
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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