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IXTP90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：198.68 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.02
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
90
Gate Charge (nC)：
80
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.33
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
110
Power Dissipation (W)：
455
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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