N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 8.0A, 1.9Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •8A, 900V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低（典型值：35nC)\n•低 Crss（典型值12pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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