FQA24N50中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，24 A，200 mΩ，TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA24N50规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率系数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 12 A）
•低栅极电荷（典型值 90 nC)
•低 Crss（典型值 55 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 型号：
FQA24N50
- 功能描述：
MOSFET 500V N-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货FQA24N50即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
FSC/ON |
07+ |
TO-3P |
170 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-3P |
9526 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
T0-3P |
17500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO-3P |
1000 |
原装长期供货! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-3P |
565 |
全新原装环保 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO-3P |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-247 |
2000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 |
