丝印：FPF2G120BF07AS；Package：F2；F2, 3ch Boost module with NTC

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：FPF2G120BF07AS；Package：F2；F2, 3ch Boost module PCM and NTC

文件：1.38739 Mbytes 页数：10 Pages

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安森美半导体

丝印：FPF2G120BF07ASP；Package：F2；F2, 3ch Boost module with NTC

文件：1.37711 Mbytes 页数：10 Pages

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安森美半导体

Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + IGBT, 650 V, 40 A

FPF2G120BF07AS 采用 3ch 升压拓扑，可为多支路光伏应用提供优化解决方案。 集成的高速场截止 IGBT 和 SiC 二极管可降低传导损耗和开关损耗。 此外，螺旋夹提供了一种快速、可靠的安装方式。 •高效率\n•低传导损耗和开关损耗\n•高速场截止 IGBT\n•SiC SBD 用作升压二极管\n•内置 NTC 可实现温度监控;

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Package：模块；包装：托盘托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

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FPF2G120BF07ASP: F2, 3ch Boost module PCM and NTC

FPF2G120BF07ASP\n \n\n技术文档及设计资源\n\n\n技术文档及设计资源\n-->\n\n\n数据表 (1) \n\n\n封装图纸 (1)

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Package：模块；包装：托盘托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

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