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FPF2G120BF07ASP数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FPF2G120BF07ASP

参数属性

FPF2G120BF07ASP 封装/外壳为模块;包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

功能描述

FPF2G120BF07ASP: F2, 3ch Boost module PCM and NTC
IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

封装外壳

模块

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:31:00

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FPF2G120BF07ASP规格书详情

描述 Description

FPF2G120BF07ASP


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数据表 (1)


封装图纸 (1)

简介

FPF2G120BF07ASP属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FPF2G120BF07ASP晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FPF2G120BF07ASP

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : F2

  • Configuration

    :3-channel IGBT/SiC Boost

  • IC Max (A)

    :40

  • V(BR) Max (V)

    :650

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.55

  • VF Typ (V)

    :1.45

  • Package Type

    :HF2CA-N32 / 32LD

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