FPF2G120BF07AS中文资料Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + IGBT, 650 V, 40 A数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

FPF2G120BF07AS 采用 3ch 升压拓扑，可为多支路光伏应用提供优化解决方案。 集成的高速场截止 IGBT 和 SiC 二极管可降低传导损耗和开关损耗。 此外，螺旋夹提供了一种快速、可靠的安装方式。

特性 Features

•高效率
•低传导损耗和开关损耗
•高速场截止 IGBT
•SiC SBD 用作升压二极管
•内置 NTC 可实现温度监控

简介

FPF2G120BF07AS属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由ONSEMI制造生产的FPF2G120BF07AS晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。