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FPF2G120BF07AS数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
FPF2G120BF07AS |
| 参数属性 | FPF2G120BF07AS 封装/外壳为模块；包装为托盘托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2 |
| 功能描述 | Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + IGBT, 650 V, 40 A |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FPF2G120BF07AS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FPF2G120BF07AS规格书详情
描述 Description
FPF2G120BF07AS 采用 3ch 升压拓扑，可为多支路光伏应用提供优化解决方案。 集成的高速场截止 IGBT 和 SiC 二极管可降低传导损耗和开关损耗。 此外，螺旋夹提供了一种快速、可靠的安装方式。
特性 Features
•高效率
•低传导损耗和开关损耗
•高速场截止 IGBT
•SiC SBD 用作升压二极管
•内置 NTC 可实现温度监控
简介
FPF2G120BF07AS属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FPF2G120BF07AS晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FPF2G120BF07AS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： Power Integrated Module
- Configuration
：3-channel IGBT/SiC Boost
- IC Max (A)
：40
- V(BR) Max (V)
：650
- VCE(sat) Typ (V)
：1.55
- VF Typ (V)
：1.45
- Package Type
：HF2CA-N32 / 32LD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
956 |
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询价 | ||
原装 |
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原装 |
56200 |
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6852 |
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Onsemi |
两年内 |
NA |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
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15000 |
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