Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V

Fairchild 的升压半桥模块设计用于需要更紧凑型设计的功率级。 另外，压装技术提供简单、可靠的安装。 该模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用诸如太阳能逆变器而优化。 •升压级- 双通道升压拓扑- 碳化硅升压二极管- 低 RDS(ON) 升压开关- 低 VF 和高电压旁通二极管\n•逆变器级- 半桥拓扑- 高速 IGBT 和快速恢复 FWD\n•用于升压和逆变器的集成式直流电容器\n•温度传感器\n•压装接触技术\n•带有低热阻的 Al2O3 基板;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FPF2C110BI07AS2；Package：F2；F2, Boost and Inverter module with Press-fit

文件：1.2755 Mbytes 页数：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：30-DIP 模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

ONSEMI

安森美半导体

Fairchild Semiconductor
WLCSP-16

Fairchild Semiconductor

上传：深圳市宇集芯电子有限公司