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FPF2C110BI07AS2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
FPF2C110BI07AS2 |
| 参数属性 | FPF2C110BI07AS2 封装/外壳为30-DIP 模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2 |
| 功能描述 | Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V |
| 封装外壳 | 30-DIP 模块 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:16:00 |
| 人工找货 | FPF2C110BI07AS2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FPF2C110BI07AS2规格书详情
描述 Description
Fairchild 的升压半桥模块设计用于需要更紧凑型设计的功率级。 另外，压装技术提供简单、可靠的安装。 该模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用诸如太阳能逆变器而优化。
特性 Features
•升压级- 双通道升压拓扑- 碳化硅升压二极管- 低 RDS(ON) 升压开关- 低 VF 和高电压旁通二极管
•逆变器级- 半桥拓扑- 高速 IGBT 和快速恢复 FWD
•用于升压和逆变器的集成式直流电容器
•温度传感器
•压装接触技术
•带有低热阻的 Al2O3 基板
简介
FPF2C110BI07AS2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FPF2C110BI07AS2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FPF2C110BI07AS2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： Power Integrated Module
- Configuration
：Dual MOSFET/SiC Boost with IGBT H-Bridge
- IC Max (A)
：19
- V(BR) Max (V)
：650
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：2.45
- Package Type
：HF2EA-P30 / 30LD
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