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FPF2C110BI07AS2分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FPF2C110BI07AS2 |
| 参数属性 | FPF2C110BI07AS2 封装/外壳为30-DIP 模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2 |
| 功能描述 | F2, Boost and Inverter module with Press-fit |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | F2 / 30-DIP 模块 |
| 文件大小 |
1.2755 Mbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-17 13:30:00 |
| 人工找货 | FPF2C110BI07AS2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FPF2C110BI07AS2规格书详情
FPF2C110BI07AS2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的FPF2C110BI07AS2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号：
FPF2C110BI07AS2
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，40A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
30-DIP 模块
- 供应商器件封装：
F2
- 描述：
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
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询价 | ||
onsemi |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
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3000 |
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询价 | |||
ON |
23+ |
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询价 | ||
ON |
20+ |
模块 |
3 |
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23+ |
33500 |
询价 | ||||
Fairchild/ON |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ON |
17+ |
MODULE |
3 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
