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FX854	文件：135.06 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications Features •CompositetypecomposedofalowON-resistanceP-channelMOSFETforultrahigh-speedswitchingandlow-voltagedrivingandafast-recovery,lowforward-voltageSchottkybarrierdiode.Facilitateshigh-densitymounting. •TheFX854isformedwith2chips,onebeingequivalenttothe2SJ	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
GI854	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI854	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI854	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IPM-C854	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
IPM-L854	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
KRC854E	文件：113.58 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC854U	文件：114.08 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LMV854	文件：1.44951 Mbytes Page：30 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV854	文件：1.07426 Mbytes Page：22 Pages	8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV854MT	文件：1.07426 Mbytes Page：22 Pages	8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV854MT/NOPB	文件：1.52815 Mbytes Page：32 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV854MTNOPB	文件：1.44951 Mbytes Page：30 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV854MTX	文件：1.07426 Mbytes Page：22 Pages	8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV854MTX/NOPB	文件：1.52815 Mbytes Page：32 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV854MTXNOPB	文件：1.44951 Mbytes Page：30 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
MR854	文件：45.37 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50.600VOLTS3.0AMPERES AxialLeadMountedFastRecoveryPowerRectifiers Axialleadmountedfastrecoverypowerrectifiersaredesignedforspecialapplicationssuchasdcpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterferenceandfreewheelingdiodes.Acompletelineoffastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MR854	文件：53.53 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERU,FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER(VOLTAGE-50to600VoltsCURRENT-3.0Amperes) VOLTAGE50to600VoltsCURRENT3.0Amperes FEATURES •Highcurrentcapability. •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Void-freemoldedplasticpackage •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Fastswitchingforhighefficiency. •In	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MR854	文件：134.45 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERU,FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER VOLTAGE-50to600VoltsCURRENT-3.0Amperes FEATURES ●Highsurgecurrentcapability ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ●Void-freemoldedplasticpackage ●3.0ampereoperationatTA=50withnothermalrunaway ●Exceedsenvironmentalstandard	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MR854	文件：47.58 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:50-600Volts Io:3.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FP854供应商更新时间2024-9-25 17:31:00

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