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FP35R12KT4	文件：442.58 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4	文件：652.73 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4P	文件：714.09 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and pre-applied Thermal Interface Material ElectricalFeatures •ExtendedoperatingtemperatureTvjop •LowVCEsat •TrenchIGBT4 •VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanicalFeatures •IntegratedNTCtemperaturesensor •Isolatedbaseplate •Soldercontacttechnology •Standardhousing •Pre-appliedThermalInte	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4_13	文件：652.73 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4_B11	文件：591.88 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4_B15	文件：575.71 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM?? module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4_B15	文件：832.04 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4_B15_13	文件：832.04 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4B15BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 35A 210W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4B15BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-211	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FP35R12KT4B16BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 70A 210W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
FP35R12KT4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT-MODULE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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