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厂商型号

FP35R12KT4_B11

功能描述

EconoPIM2 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC

文件大小

591.88 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 16:38:00

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产品属性

  • 型号:

    FP35R12KT4_B11

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT-MODULE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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