| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONMODULE |
6000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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INFINEONECONOPIN2 |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFMOD |
100 |
11+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市熠灿电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONIJBT |
2000 |
2023 |
全新、原装 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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INFINEON模块 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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infineonEasyPIM |
15000 |
23+ |
一级代理原装现货。 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
516 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEON模块 |
1896 |
23+ |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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FP35R12KT4_B15价格
FP35R12KT4_B15价格：￥550.2489品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP35R12KT4_B15多少钱，想知道FP35R12KT4_B15价格是多少？参考价：￥550.2489。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FP35R12KT4_B15批发价格及采购报价，FP35R12KT4_B15销售排行榜及行情走势，FP35R12KT4_B15报价。
FP35R12KT4PBPSA1资讯
FP35R12KT4 英飞凌专卖
做的是诚信，卖的是良心。
FP35R12KT4PBPSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多FP35R12KT4功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP35R12KT4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP35R12KT4_B15功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
