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IRF634A	文件：224.02 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowerRDS(ON):0.327Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF634A	文件：353.28 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF634A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF634A	文件：281.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF634B	文件：135.5 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF634B	文件：281.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF634FP	文件：333.68 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL250V-0.38ohm-8ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAY??MOSFET Description UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformance.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,makesitsuitableincovertersforli	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF634FP	文件：326.43 Kbytes Page：14 Pages	N-channel250V-0.38廓-8ATO-220/TO-220FPMeshOverlay??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
FMMT634TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
960mV @ 5mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	FMMT634TC	Diodes Incorporated	2022+	SOT-23-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FMMT634TC	Diodes Incorporated	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	FMMT634TC	NK/南科功率	2025+	SOT-23-3	986966	国产	询价
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深圳市弘为电子有限公司	FMMT650TA\650	ZETEX	24+	SOT-23	1900	原装现货假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FMMT6517	DIODES	23+	SOT23-3	7750	全新原装优势	询价
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深圳市一线半导体有限公司	FMMT6517TA	ZETEX	24+	SOT23	2900		询价
深圳市达恩科技有限公司	FMMT6517TA	DiodesZetex	24+	NA	3049	进口原装正品优势供应	询价

更多FMMT634TC供应商更新时间2025-5-25 15:01:00

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