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FMMTL619TA	文件：84.02 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FSB619	文件：27.93 Kbytes Page：2 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB619	文件：251.77 Kbytes Page：7 Pages	NPNLow-SaturationTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G619B	文件：97.44 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,PCBMount,RightAnleArray,G61XBSeries [IDEA] T-1,(3-mm)Round,PCBMountRightAngleArray,G61XBSeries TheG61XBisaT-1sizeright-angleindicatorarray.TheLEDsarelocatedon4.57mm(0.18)centers.TheG61XBcanbesuppliedwiththedesiredlampspreassembledfrom1to9sectionslong.(G611BthruG619B)Thisseriesprovides	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G619L	文件：38.75 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,PCBMountRightAngleArray,G61XLSeries	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G619S	文件：31.7 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,PCBMountDirectViewArray,G61XSSeries [IDEA] TheG61XSisaT-1sizeindicatorarraydesignedfordirectviewing.TheLEDsarelocatedon4.57mm(0.18)centers.TheG61XScanbesuppliedwiththedesiredlampspreassembledfrom1to9sectionslong.(G611SthruG619S)Thisseriesprovideseasierhandlinginmultiplelampapplications	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
GD619	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HMC619	文件：305.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-10GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC619	文件：298.23 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-10GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC619	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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产品属性

产品编号：
FMMT619QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 200mA，2V
频率 - 跃迁：
165MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	FMMT619QTA	DIODES	24+	SOT23	3000	价格优势,支持实单	询价
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更多FMMT619Q供应商更新时间2025-5-21 15:01:00

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