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FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TC	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591	文件：41.62 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLEMENTARYTYPEFZT491 PARTMARKINGDETAIL-FZT591	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT591	文件：52.39 Kbytes Page：1 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591	文件：365.84 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors ■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT591A	文件：415.01 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES LowequivalentonresistanceRCE(sat)=350mat1A PARTMARKINGDETAIL-FZT591A COMPLEMENTARYTYPE-FZT491A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT591A	文件：1.06631 Mbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANAR Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591A	文件：60.7 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconPlanarMediumPowerTransistor ■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HECX591	文件：345.93 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HMC591	文件：390.76 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER,6.0-10.0GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

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产品属性

产品编号：
FMMT591ATA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT591ATA供应商更新时间2025-7-25 10:00:00

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