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HMC591	文件：298.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER,6-10GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC591	文件：414.35 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC591	文件：944.11 Kbytes Page：11 Pages	Point-to-Multi-PointRadios	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC591	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HN-591	文件：64.15 Kbytes Page：3 Pages	900MHzFrequencyHoppingWirelessDataModem	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
HW591	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW591	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
KCX591	文件：413.83 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-1A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-60V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KZT591	文件：365.84 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors ■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LB591	文件：392.32 Kbytes Page：14 Pages	REDOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL

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产品属性

产品编号：
FMMT591ATA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

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