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FMMT493	文件：1.60117 Mbytes Page：4 Pages	丝印：493；Package：SOT-23；NPN Transistor 文件：1.60117 Mbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
FMMT493	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
FMMT493	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
FMMT493	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 100V, 1A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT493A	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR Description: This 60V NPN transistor provides users with performance combining low saturation and high hFE with a continuous current capability of 1A, ensuring improved circuit efficiencies. Features Low saturation voltage High hFE min 300 @ 250mA IC = 1A Applications 文件：163.23 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
FMMT493A	文件：146.46 Kbytes Page：6 Pages	SOT23 60V NPN SILICON PLANAR Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • VCESAT = 0.5V @1A • 500mW Power Dissipation • Low Saturation Voltage • High hFE Min 300@250mA • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to 文件：146.46 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT493ATA	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR Description: This 60V NPN transistor provides users with performance combining low saturation and high hFE with a continuous current capability of 1A, ensuring improved circuit efficiencies. Features Low saturation voltage High hFE min 300 @ 250mA IC = 1A Applications 文件：163.23 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
FMMT493ATC	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR Description: This 60V NPN transistor provides users with performance combining low saturation and high hFE with a continuous current capability of 1A, ensuring improved circuit efficiencies. Features Low saturation voltage High hFE min 300 @ 250mA IC = 1A Applications 文件：163.23 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
FMMT493-G	文件：157.02 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor Features - Complementary type FMMT593 - Low saturation voltage - High hFE Max. 300@250mA - IC = 1A 文件：157.02 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features ● BVCEO > 100V ● IC = 1A High Continuous Collector Current ● ICM = 2A Peak Pulse Current ● 500mW Power Dissipation ● hFE Characterised Up to 2A for High Current Gain Hold Up ● Complementary PNP Type: FMMT593 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) ● Haloge 文件：385.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
NPN
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
0.5 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.25 A
hFE(Min 2)：
60
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.25/25
VCE (SAT)(Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/100
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多FMMT493供应商更新时间2025-12-13 16:08:00

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