首页>FJE5304D>规格书详情

FJE5304D中文资料NPN 型三重扩散平面硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FJE5304D

参数属性

FJE5304D 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A TO126-3

功能描述

NPN 型三重扩散平面硅晶体管
TRANS NPN 400V 4A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 16:12:00

人工找货

FJE5304D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FJE5304D规格书详情

特性 Features

• 高压和高速功率开关的应用
• 广泛的安全工作区
• 内置续流二极管
• 适合电子镇流器应用
• 存储时间方面的差异小

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJE5304D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJE5304D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJE5304D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :High Voltage Fast-Switching Transistor

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.5

  • IC Cont. (A)

    :4

  • VCEO Min (V)

    :400

  • VCBO (V)

    :700

  • VEBO (V)

    :12

  • VBE(sat) (V)

    :1.3

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :8

  • hFE Max

    :40

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
5880
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO126-3
6000
原装正品,假一罚十!
询价
ON/安森美
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ON/安森美
23+
SMD
7000
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Fairchild
24+
TO-126
153
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-126
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
FAI/PBF
1004+
TO126-3
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO126F
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价