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FJE5304D

丝印:J5304D;Package:TO-1263L;NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Features • High-Voltage, High-Speed Power Switch Applications • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling diode • Suitable for Electronic Ballast Applications • Small Variance in Storage Time

文件:295.66 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJE5304D

High Voltage High Speed Power Switch Application

文件:89.08 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FJE5304D

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

文件:479.19 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FJE5304DTU

丝印:J5304D;Package:TO-1263L;NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Features • High-Voltage, High-Speed Power Switch Applications • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling diode • Suitable for Electronic Ballast Applications • Small Variance in Storage Time

文件:295.66 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJE5304D_05

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

文件:479.19 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FJE5304D

NPN 型三重扩散平面硅晶体管

• 高压和高速功率开关的应用\n• 广泛的安全工作区\n• 内置续流二极管\n• 适合电子镇流器应用\n• 存储时间方面的差异小;

ONSEMI

安森美半导体

FJE5304D

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 4A TO126-3

ONSEMI

安森美半导体

FJE5304DTU

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 4A TO126-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FJE5304D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,2.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 2A,5V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 4A TO126-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-126
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FAIRCHIL
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原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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TO-126
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原装现货/欢迎来电咨询
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FAI/PBF
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TO126-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FAI/PBF
23+
TO126-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FAIRCHILD/仙童
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TO-126
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FAIRCHILD/仙童
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TO126F
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更多FJE5304D供应商 更新时间2026-4-18 8:12:00