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FJD3076中文资料NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FJD3076

参数属性

FJD3076 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 2A DPAK

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 32V 2A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:10:00

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FJD3076规格书详情

特性 Features

• 功率放大器应用
•低集电极-发射极饱和电压

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJD3076属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJD3076晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJD3076

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Epitaxial Silicon Transistor

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 2A

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :32

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 0.5A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 0.5A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = -0.5A

  • PTM Max (W)

    :10

  • Package Type

    :DPAK-3

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