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FJD3076	文件：47.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：47.39 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3076	文件：52.88 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：52.88 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3076	文件：264.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low collector saturation voltage • High current gain characteristics • Fast-switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifier application 文件：264.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJD3076	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor • 功率放大器应用\n•低集电极-发射极饱和电压;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJD3076TM	文件：52.88 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：52.88 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3076TF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 2A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJD3076TM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 2A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
Epitaxial Silicon Transistor
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
32
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
10
Package Type：
DPAK-3

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