FJB102数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
FJB102 |
| 参数属性 | FJB102 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK |
| 功能描述 | 100V高电压功率达林顿晶体管 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:56:00 |
| 人工找货 | FJB102价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJB102规格书详情
特性 Features
•高DC电流增益：hFE=1000 @ VCE= 4 V，IC= 3 A（最小值）
•低集电极-发射极饱和电压
•高集电极-发射极维持电压
•带内置基极-发射极并联电阻的单片式结构
•工业用途
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FJB102属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FJB102晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FJB102
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：High-Voltage Power Transistor
- VCE(sat) Max (V)
：2.5
- IC Cont. (A)
：8
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：2.8
- hFE Min
：200
- hFE Max
：20000
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：80
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2022+ |
5000 |
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FAI |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-263 |
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NA |
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FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO263 |
48000 |
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24+ |
con |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
D2PAK-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
