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FJD5553数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FJD5553

参数属性

FJD5553 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 3A TO252AA

功能描述

高压快速开关晶体管
TRANS NPN 400V 3A TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:25:00

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FJD5553规格书详情

描述 Description

高压开关模式应用

特性 Features

•快速开关
•广泛的安全工作区
•适合电子镇流器应用

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJD5553属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJD5553晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJD5553

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Silicon Transistor

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :400

  • VCBO (V)

    :1050

  • VEBO (V)

    :14

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :60

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :1.25

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO252
1709
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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7350
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